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鉴中1996至1997分别于美国德州农工大学(Prof.F.A.Cotton)和英国剑桥大学(Profs.TheLordLewisandPaulR.Raithby)从事博士后研究,现任香港理工大学应用科学及纺织学院副院长。本工作为制备非晶Pd纳米材料提供了一种简便、文明有效的方法，并展示了其广阔的电催化应用前景。
未经允许不得转载，璀璨授权事宜请联系[email protected]。由于它们在薄膜中具有更高的荧光量子产率(24-38%)，篇章基于TNZPs基的非掺杂器件具有明亮的近红外辐射，篇章最大辐射强度为21447-36027mWSr−1 m−2，其性能优于大多数报道的纯有机近红外器件。相关研究以ExplorationofHighEffciencyAIE-ActiveDeep/NearInfraredRedEmittersinOLEDswithHigh-Radiance为题目，学互写发表在Adv.OpticalMater.上。
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支院士在JACS、璀璨Angew.、AM等国际期刊已发表成果1000篇研究论文，h-index目前为115。
这个反应是利用氢原子转移来设计的金属-QC（醌型碳烯）与脂肪族底物的反应活性，篇章然后通过自由基过程得到C-H芳基化产物。【图文导读】图1.相变属性图2.低温相的晶体结构图3.中温相的晶体结构图4.铁电特性的表征（A）(TMFM)FeBr4，学互写(TMCM)FeBr4，学互写(TMBM)FeBr4和(TMIM)FeBr4的温度依赖性SHG强度（B）使用双波法在323K下测量的(TMFM)FeBr4，(TMCM)FeBr4，(TMBM)FeBr4和(TMIM)FeBr4的P-E磁滞回线（C）(TMFM)FeBr4，(TMCM)FeBr4，(TMBM)FeBr4和(TMIM)FeBr4的复介电常数的实部与偏置电场的关系图5.(TMFM)FeBr4薄膜的生长区结构（A）拓扑图（B-E）同一区域中的垂直PFM振幅（B）和相位（C）图像以及侧面PFM振幅（D）和相位（E）图像图6.薄膜的偏振反转测量(TMFM)FeBr4，(TMCM)FeBr4，(TMBM)FeBr4和(TMIM)FeBr4薄膜的局部振幅（A）和相位（B）磁滞回线图7.压电特性的表征（A,B）(TMFM)FeBr4，(TMCM)FeBr4，(TMBM)FeBr4，(TMIM)FeBr4，(TM)FeCl4和PVDF的PFM共振峰（A）和有效压电系数（B）的比较（C）基于(TMFM)FeBr4膜的压电能量收集器的示意图（D）(TMFM)FeBr4多晶样品在一定冲击下产生的输出电压【总结】通过精确的分子修饰或剪裁，作者成功设计和调节了四种高温多轴分子铁电体(TMFM)FeBr4，(TMCM)FeBr4，(TMBM)FeBr4和(TMIM)FeBr4。
然而，鉴中设计和调节多轴分子铁电体一直是一个巨大的挑战，特别是在压电性能优异的情况下。此外，文明所有这些多轴铁电体均表现出良好的压电性能，由此(TMFM)FeBr4表现出与PVDF相当的较大压电响应。
东南大学的熊仁根教授团队通过精确的分子修饰，璀璨成功设计并调节了四种高温多轴分子铁电体[(CH3)3NCH2X]FeBr4（X=F，Cl，Br，I）。铁电体作为具有反向极化的压电材料，篇章可以用作允许在电应力和机械应力之间转换的超微换能器。